IRFU220PBF
Symbol Micros:
TIRFU220
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 4,8A; 42W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 800mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFU220PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
225 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3214 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFU220PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2196 szt.
| ilość szt. | 525+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0310 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFU220PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2450 szt.
| ilość szt. | 525+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0365 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 800mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,8A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |