IRFU220PBF

Symbol Micros: TIRFU220
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 4,8A; 42W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 800mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,8A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFU220PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
225 szt.
ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3214
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFU220PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
2196 szt.
ilość szt. 525+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0310
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFU220PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
2450 szt.
ilość szt. 525+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0365
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 800mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,8A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT