IRFU220PBF
Symbol Micros:
TIRFU220
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 4,8A; 42W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 800mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,8A |
Maksymalna tracona moc: | 42W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFU220PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
225 szt.
ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,3214 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFU220PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2196 szt.
ilość szt. | 525+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,0310 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFU220PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2450 szt.
ilość szt. | 525+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,0365 |
Rezystancja otwartego kanału: | 800mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,8A |
Maksymalna tracona moc: | 42W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 200V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |