IRFU3607

Symbol Micros: TIRFU3607
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU3607PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFU3607PBF RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 450+
cena netto (PLN) 3,7800 2,5100 2,0800 1,9000 1,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/450
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFU3607PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8909
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFU3607PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
12697 szt.
ilość szt. 225+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,4780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 80A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 75V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT