IRFU3607
Symbol Micros:
TIRFU3607
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU3607PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 80A |
Maksymalna tracona moc: | 140W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRFU3607PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 75+ | 450+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,7800 | 2,5100 | 2,0800 | 1,9000 | 1,8000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFU3607PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,8909 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFU3607PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
12697 szt.
ilość szt. | 225+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,4780 |
Rezystancja otwartego kanału: | 9mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 80A |
Maksymalna tracona moc: | 140W |
Obudowa: | TO251 (IPACK) |
Producent: | International Rectifier |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 75V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |