IRFU4105Z

Symbol Micros: TIRFU4105z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 24,5mOhm; 30A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU4105ZPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 24,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 48W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFU4105ZPBF RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 3,7800 2,5000 2,0700 1,8800 1,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Rezystancja otwartego kanału: 24,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 48W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT