IRFU9014
Symbol Micros:
TIRFU9014
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 5,1A; 25W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 500mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFU9014PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
| ilość szt. | 2+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7100 | 2,0100 | 1,4900 | 1,2800 | 1,1800 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRFU9014PBF
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2900 szt.
| ilość szt. | 525+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 500mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |