IRFU9024PBF

Symbol Micros: TIRFU9024
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,8A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFU9024N RoHS IRFU9024 RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Stan magazynowy:
1 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 75+ 150+ 525+
cena netto (PLN) 2,7400 1,7200 1,3100 1,2500 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/525
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRFU9024PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 2,7400 2,0300 1,5000 1,2900 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFU9024PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
600 szt.
ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2258
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFU9024PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
3434 szt.
ilość szt. 525+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRFU9024PBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
13500 szt.
ilość szt. 525+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,8A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT