IRFU9024NPBF

Symbol Micros: TIRFU9024n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 11A; 38W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 175mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 38W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFU9024NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
125 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,8300 1,7900 1,3700 1,2700 1,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/975
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFU9024NPBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
1650 szt.
ilość szt. 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFU9024NPBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
33000 szt.
ilość szt. 525+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFU9024NPBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
2100 szt.
ilość szt. 15+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
15
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRFU9024NPBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
6575 szt.
ilość szt. 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 175mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 38W
Obudowa: TO251 (IPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT