IRFZ34N
Symbol Micros:
TIRFZ34n
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 40mOhm; 29A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ34NPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 29A |
| Maksymalna tracona moc: | 68W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFZ34NPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
180 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 1200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,4100 | 1,4600 | 1,1300 | 1,0000 | 0,9650 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFZ34NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1930 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4504 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRFZ34NPBF
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
78208 szt.
| ilość szt. | 600+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9650 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-10-23
Ilość szt.: 350
| Rezystancja otwartego kanału: | 40mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 29A |
| Maksymalna tracona moc: | 68W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |