HIRFZ44NPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRFZ44n HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 60A; 120W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFZ44PBF; IRFZ44PBF-BE3; IRFZ44NPBF; SP001565354;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 60A
Maksymalna tracona moc: 120W
Obudowa: TO220
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: HIRFZ44NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 150+ 600+
cena netto (PLN) 2,6500 1,6700 1,3100 1,2100 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/150
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 60A
Maksymalna tracona moc: 120W
Obudowa: TO220
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT