IRFZ48
Symbol Micros:
TIRFZ48
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 190W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ48PBF; IRFB3806PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 50A |
Maksymalna tracona moc: | 190W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRFZ48 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,9400 | 5,1400 | 4,2800 | 4,1800 | 4,0800 |
Rezystancja otwartego kanału: | 18mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 50A |
Maksymalna tracona moc: | 190W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |