IRFZ48NPBF-ML MOSLEADER
Symbol Micros:
TIRFZ48n MOS
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 16mOhm; 60A; 85W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ48PBF; IRFZ48NPBF; SP001552474;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 85W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 60A |
| Maksymalna tracona moc: | 85W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |
Odpowiedniki
IRFZ48N
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 14mOhm; 64A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ48NPBF; IRFZ 48 N PBF;
Producent:
International Rectifier
Symbol producenta:
IRFZ48N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
290 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
| cena netto (PLN) | 4,1800 | 3,0700 | 2,4600 | 2,1100 | 1,9900 |
Sposób pakowania: 50/700
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRFZ48N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
28618 szt.
| Ilość szt. | 400+ |
| cena netto (PLN) | 1,9900 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRFZ48N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
3140 szt.
| Ilość szt. | 10+ |
| cena netto (PLN) | 1,9900 |
Sposób pakowania: 10
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRFZ48N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
Stan magazynowy
10 szt.
| Ilość szt. | 1+ |
| cena netto (PLN) | 2,7550 |
Sposób pakowania: 1
Ilość (wielokrotność 1)