IRG4BC30K

Symbol Micros: TIRG4bc30k
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor IGBT ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C;
Parametry
Ładunek bramki: 100nC
Maksymalna moc rozpraszana: 100W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 58A
Maksymalny prąd kolektora: 28A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,0V ~ 6,0V
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Ładunek bramki: 100nC
Maksymalna moc rozpraszana: 100W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 58A
Maksymalny prąd kolektora: 28A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,0V ~ 6,0V
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Napięcie kolektor-emiter: 600V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT