IRG4BH20K-LPBF

Symbol Micros: TIRG4bh20k-L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO262
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 11A; 22A; 60W; 3,5V~6,5V; 43nC; -55°C~150°C;
Parametry
Ładunek bramki: 43nC
Maksymalna moc rozpraszana: 60W
Maksymalny prąd kolektora: 11A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 22A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,5V ~ 6,5V
Obudowa: TO262
Producent: International Rectifier
Producent: Infineon Symbol producenta: IRG4BH20K-LPBF Obudowa dokładna: TO262  
Stan magazynowy:
1 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,5700 6,0000 5,1000 4,6900 4,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Ładunek bramki: 43nC
Maksymalna moc rozpraszana: 60W
Maksymalny prąd kolektora: 11A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 22A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,5V ~ 6,5V
Obudowa: TO262
Producent: International Rectifier
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT