IRL3705N

Symbol Micros: TIRL3705n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL3705NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 89A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Producent: Infineon Symbol producenta: IRL3705NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,9200 3,7600 3,1100 2,7200 2,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: Infineon Symbol producenta: IRL3705NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
5410 szt.
ilość szt. 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 3,7636
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRL3705NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
90550 szt.
ilość szt. 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 2,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 18mOhm
Maksymalny prąd drenu: 89A
Maksymalna tracona moc: 170W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT