IRL3713

Symbol Micros: TIRL3713
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 4mOhm; 200A; 200W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: IRL3713PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 200A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRL3713 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 15,9800 14,2600 13,2200 12,5500 12,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 4mOhm
Maksymalny prąd drenu: 200A
Maksymalna tracona moc: 200W
Obudowa: TO220
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta