IRL3716L

Symbol Micros: TIRL3716l
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO262
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 4,8mOhm; 180A; 210W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 210W
Obudowa: TO262
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRL3716L RoHS Obudowa dokładna: TO262 karta katalogowa
Stan magazynowy:
11 szt.
ilość szt. 1+ 2+ 3+ 5+ 11+
cena netto (PLN) 9,3600 7,8300 7,1800 6,5400 5,8500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
11
Rezystancja otwartego kanału: 4,8mOhm
Maksymalny prąd drenu: 180A
Maksymalna tracona moc: 210W
Obudowa: TO262
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT