IRL530NPBF INFINEON

Symbol Micros: TIRL530n
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 150mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TO220AB
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 150mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 79W
Obudowa: TO220AB
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT