IRL540N

Symbol Micros: TIRL540
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL540NPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 63mOhm
Maksymalny prąd drenu: 36A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRL540NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 150+ 600+
cena netto (PLN) 3,8900 2,4500 1,9300 1,7800 1,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/150
Producent: Infineon Symbol producenta: IRL540NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
31 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 31+ 124+ 496+
cena netto (PLN) 3,8900 2,4500 2,0300 1,7900 1,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
31
Producent: Infineon Symbol producenta: IRL540NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
47050 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRL540NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
1839 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRL540NPBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
3730 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8618
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 63mOhm
Maksymalny prąd drenu: 36A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT