IRL540NS

Symbol Micros: TIRL540ns
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 63mOhm; 36A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL540NSPBF-GURT; IRL540NSTRLPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 63mOhm
Maksymalny prąd drenu: 36A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRL540NSTRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 7,9900 5,9300 5,1800 4,8100 4,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: Infineon Symbol producenta: IRL540NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
1650 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRL540NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
13600 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 63mOhm
Maksymalny prąd drenu: 36A
Maksymalna tracona moc: 140W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD