IRL6372TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRL6372 JGS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOP08
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 38mOhm; 8,5A; 3,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRL6372PBF; IRL6372TRPBF; SP001568406; SP001569038;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 38mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,5A
Maksymalna tracona moc: 3,7W
Obudowa: SOP08
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Producent: JGSEMI Symbol producenta: IRL6372TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 400+ 2000+
cena netto (PLN) 1,5300 0,8510 0,6710 0,6150 0,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
400
Producent: JGSEMI Symbol producenta: IRL6372TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5300 1,0100 0,7260 0,6370 0,5980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Rezystancja otwartego kanału: 38mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8,5A
Maksymalna tracona moc: 3,7W
Obudowa: SOP08
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: 2xN-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta