IRL640

Symbol Micros: TIRL640
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 10V; 270mOhm; 17A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRL640PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 270mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: IRL640PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
175 szt.
ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,0076
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRL640PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
536 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5486
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 270mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 10V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT