IRL7472L1TRPBF

Symbol Micros: TIRL7472l1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DirectFET
Trans MOSFET N-CH Si 40V 59A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 0,7mOhm
Maksymalny prąd drenu: 375A
Maksymalna tracona moc: 3,8W
Obudowa: DirectFET
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRL7472L1TRPBF Obudowa dokładna: DirectFET  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 6,8878
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 0,7mOhm
Maksymalny prąd drenu: 375A
Maksymalna tracona moc: 3,8W
Obudowa: DirectFET
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 40V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD