IRLB4030
Symbol Micros:
TIRLB4030
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLB4030PBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 370W |
| Maksymalny prąd drenu: | 180A |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLB4030PBF RoHS
Obudowa dokładna: TO220
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 45+ | 135+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,9400 | 6,6400 | 5,8900 | 5,4400 | 5,2900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 370W |
| Maksymalny prąd drenu: | 180A |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon (IRF) |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | THT |