IRLB8314PBF

Symbol Micros: TIRLB8314
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 171A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO220
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLB8314PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
10046 szt.
ilość szt. 400+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,6594
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 3,2mOhm
Maksymalny prąd drenu: 171A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO220
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT