IRLB8721PBF

Symbol Micros: TIRLB8721
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 16mOhm; 62A; 65W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SP001558140;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 16mOhm
Maksymalny prąd drenu: 62A
Maksymalna tracona moc: 65W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLB8721PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
1950 szt.
ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6693
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLB8721PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
2705 szt.
ilość szt. 400+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4595
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 16mOhm
Maksymalny prąd drenu: 62A
Maksymalna tracona moc: 65W
Obudowa: TO220
Producent: International Rectifier
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT