IRLD024
Symbol Micros:
TIRLD024
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 10V; 140mOhm; 2,5A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLD024PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 140mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRLD024 RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. | 2+ | 5+ | 10+ | 20+ | 85+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,7400 | 1,9900 | 1,6500 | 1,4300 | 1,1900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRLD024PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnetrzny:
2260 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,5006 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRLD024PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnetrzny:
2250 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,7894 |
Rezystancja otwartego kanału: | 140mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |