IRLD110
Symbol Micros:
TIRLD110
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 760mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLD110PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 760mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1A |
Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRLD110PBF RoHS
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,1100 | 1,9500 | 1,6200 | 1,4400 | 1,3500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRLD110PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnetrzny:
2100 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,3500 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRLD110PBF
Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP
Magazyn zewnetrzny:
550 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,3500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 760mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 1A |
Maksymalna tracona moc: | 1,3W |
Obudowa: | PDIP04HVMDIP |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |