IRLD110

Symbol Micros: TIRLD110
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 10V; 760mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLD110PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 760mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRLD110PBF RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP  
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,1100 1,9500 1,6200 1,4400 1,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: Vishay Symbol producenta: IRLD110PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP  
Magazyn zewnetrzny:
2100 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRLD110PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP  
Magazyn zewnetrzny:
550 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 760mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: PDIP04HVMDIP
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 10V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT