IRLML0060TRPBF

Symbol Micros: TIRLML0060
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 116mOhm; 2,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0060TR; IRLML0060TRPBF; IRLML0060PBF; SP001568948; IRLML0060;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 116mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,7A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML0060TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
8980 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4100 0,7780 0,6120 0,5660 0,5430
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/30000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML0060TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
105650 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3700 0,7280 0,5640 0,5210 0,4990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 116mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,7A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD