IRLML0100TRPBF HXY MOSFET
Symbol Micros:
TIRLML0100 HXY
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 290mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | HXY MOSFET |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 290mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 1W |
| Maksymalny prąd drenu: | 3A |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | HXY MOSFET |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLML0100
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; IRLML0100PBF;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML0100TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
1740 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 1,2200 | 0,6760 | 0,4490 | 0,3750 | 0,3490 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML0100TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
450000 szt.
| Ilość szt. | 6000+ |
| cena netto (PLN) | 0,3490 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML0100TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
2700 szt.
| Ilość szt. | 100+ |
| cena netto (PLN) | 0,3657 |
Sposób pakowania: 100
Ilość (wielokrotność 1)
IRLML0100TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
IRLML0100TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
800 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0800 | 0,5410 | 0,3220 | 0,2670 | 0,2400 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)