IRLML0100TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLML0100 HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 290mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: IRLML0100TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6550 0,3110 0,1750 0,1330 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: IRLML0100TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
160 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,6550 0,2620 0,1520 0,1270 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Rezystancja otwartego kanału: 290mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta