IRLML2030TRPBF

Symbol Micros: TIRLML2030
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 154mOhm; 2,7A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2030TRPBF; IRLML2030PBF; IRLML2030;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 154mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,7A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 154mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,7A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD