IRLML2402

Symbol Micros: TIRLML2402
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRLML2402TRPBF; IRLML2402PBF; YJL2302B; YJL2302B-F2-0000HF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 350mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,2A
Maksymalna tracona moc: 540mW
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2402TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
6181 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2600 0,6970 0,4630 0,3870 0,3600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2402TRPBF Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
28100 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3832
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 350mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,2A
Maksymalna tracona moc: 540mW
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta