IRLML2502

Symbol Micros: TIRLML2502
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TR; IRLML2502PBF; IRLML2502TRPBF; SP001558336; TCJ2302;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 80mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,2A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2502TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
574 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,5900 0,4570 0,4220 0,4040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2502TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
20368 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,5900 0,4570 0,4220 0,4040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2502TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
4 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,5900 0,4570 0,4220 0,4040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2502TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
2996 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,5900 0,4570 0,4220 0,4040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2996
Rezystancja otwartego kanału: 80mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,2A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta