IRLML2502

Symbol Micros: TIRLML2502

Obudowa: SOT23

Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2502TR; IRLML2502PBF; IRLML2502TRPBF; SP001558336; TCJ2302;

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	80mOhm
Maksymalna tracona moc:	1,25W
Maksymalny prąd drenu:	4,2A
Obudowa:	SOT23
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20V
Typ tranzystora:	N-MOSFET

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2502TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r

Stan magazynowy:

73 szt.

ilość szt.	3+	20+	100+	300+	1000+
cena netto (PLN)	1,1000	0,5820	0,4510	0,4170	0,3990

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2502TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r

Stan magazynowy:

3558 szt.

ilość szt.	3+	20+	100+	300+	1000+
cena netto (PLN)	1,1000	0,5820	0,4510	0,4170	0,3990

Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML2502TRPBF Obudowa dokładna: SOT23

Magazyn zewnętrzny:

296300 szt.

ilość szt.	100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN)	0,9126

Towar w drodze

Planowany termin:
2027-12-31

Ilość szt.: 18000

Rezystancja otwartego kanału:	80mOhm
Maksymalna tracona moc:	1,25W
Maksymalny prąd drenu:	4,2A
Obudowa:	SOT23
Producent:	Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło:	20V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	12V
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 150°C
Montaż:	SMD

Ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,8470	0,4020	0,2260	0,1720	0,1540

Ilość szt.	5+	20+	100+	500+	3000+
cena netto (PLN)	0,8960	0,4540	0,2750	0,2180	0,1990

Ilość szt.	5+	30+	200+	1000+	5000+
cena netto (PLN)	0,9850	0,3940	0,2290	0,1910	0,1790

Ilość szt.	5+	30+	200+	1000+	5000+
cena netto (PLN)	0,9130	0,3650	0,2120	0,1770	0,1660

Ilość szt.	5+	20+	100+	500+	2000+
cena netto (PLN)	0,8150	0,4120	0,2480	0,1960	0,1810