IRLML2803TR UMW
Symbol Micros:
TIRLML2803 UMW
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2803GTRPBF; IRLML2803TRPBF; SP001550482; SP001572964; SP001558316;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 540mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 400mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 540mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLML2803
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2803TRPBF; IRLML2803PBF; IRLML2803GTRPBF;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLML2803TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
3597 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,1700 | 0,6200 | 0,4810 | 0,4440 | 0,4250 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)