IRLML6302TR UMW
Symbol Micros:
TIRLML6302 UMW
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 780mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6302TRPBF; IRLML6302GTRPBF; SP001574060; SP001550492;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 780mA |
| Maksymalna tracona moc: | 540mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 110mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 780mA |
| Maksymalna tracona moc: | 540mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLML6302
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 900mOhm; 780mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRLML6302PBF; IRLML6302TRPBF; IRLML6302GTRPBF; SP001574060;
Pozycja dostępna na zamówienie