IRLML6344TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLML6344 HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,8A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: IRLML6344TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
760 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,7650 0,3060 0,1780 0,1480 0,1390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Rezystancja otwartego kanału: 55mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5,8A
Maksymalna tracona moc: 1,4W
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD