IRLR014PBF Vishay
Symbol Micros:
TIRLR014
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 10V; 280mOhm; 7,7A; 25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR014TRLPBF; IRLR014TRPBF;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: IRLR014 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 3+ | 15+ | 75+ | 300+ | 1500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,8800 | 1,1100 | 0,8450 | 0,7610 | 0,7240 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: IRLR014PBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
2828 szt.
| ilość szt. | 525+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9713 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 280mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,7A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |