IRLR2905Z

Symbol Micros: TIRLR2905z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR2905ZPBF; IRLR2905ZTRPBF; IRLR2905ZTRLPBF; IRLR2905ZPBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 22,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 60A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR2905ZTR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
4220 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,8500 3,3900 2,8800 2,6400 2,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR2905ZTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
3550 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR2905ZTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 22,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: 60A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta