IRLR2908TRPBF-ML MOSLEADER
Symbol Micros:
TIRLR2908 MOS
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 50A; 70W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR2908PBF; IRLR2908TRPBF; SP001567410; SP001553170
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 23mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 23mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | MOSLEADER |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLR2908
Tranzystor N-MOSFET; 80V; 16V; 30mOhm; 39A; 120W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR2908PBF; IRLR2908TRLPBF; IRLR2908TRPBF; IRLR2908PBF-GURT; IRLR2908TRLPBF;
Producent:
International Rectifier
Symbol producenta:
IRLR2908TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
90 szt.
| Ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 200+ | 400+ |
| cena netto (PLN) | 4,7700 | 3,3400 | 2,7500 | 2,5400 | 2,5100 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR2908TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
3800 szt.
| Ilość szt. | 50+ |
| cena netto (PLN) | 2,5100 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR2908TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
100000 szt.
| Ilość szt. | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 2,5100 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR2908TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
8000 szt.
| Ilość szt. | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 2,5100 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)