IRLR3636 IRLR3636PBF-GURT

Symbol Micros: TIRLR3636
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 8,3mOhm; 99A; 143W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3636PBF; IRLR3636TRPBF (2000/T&R); IRLR3636TRLPBF (3K/RL); IRLR3636PBF-GURT;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 8,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 99A
Maksymalna tracona moc: 143W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR3636TR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
1450 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,7900 3,3500 2,8500 2,6100 2,5200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR3636TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR3636TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
4050 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR3636TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 8,3mOhm
Maksymalny prąd drenu: 99A
Maksymalna tracona moc: 143W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD