IRLR3705Z

Symbol Micros: TIRLR3705z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3705ZPBF; IRLR3705ZTRPBF; IRLR3705ZPBF-GURT; IRLR3705ZTRPBF-BL;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 12mOhm
Maksymalny prąd drenu: 89A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR3705ZTR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
751 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,1200 5,6400 4,8100 4,4100 4,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Rezystancja otwartego kanału: 12mOhm
Maksymalny prąd drenu: 89A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD