IRLR3717
Symbol Micros:
TIRLR3717
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 5,5mOhm; 120A; 89W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717PBF; IRLR3717TRPBF; IRLR3717TRRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 5,5mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 120A |
Maksymalna tracona moc: | 89W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: VBsemi
Symbol producenta: IRLR3717 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,9500 | 2,6300 | 2,1700 | 1,9600 | 1,8800 |
Producent: VBsemi
Symbol producenta: IRLR3717TRPBF-VB RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,9500 | 2,6300 | 2,1700 | 1,9600 | 1,8800 |
Rezystancja otwartego kanału: | 5,5mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 120A |
Maksymalna tracona moc: | 89W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |