IRLR3717TRPBF CHIPNOBO
Symbol Micros:
TIRLR3717 CNB
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 120A; 90W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717PBF; IRLR3717TRLPBF; IRLR3717TRPBF; IRLR3717TRRPBF; SP001568638; SP001567384; SP001553200; SP001569116;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 90W |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Producent: | CHIPNOBO |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLR3717TRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,5mOhm; 120A; 90W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717PBF; IRLR3717TRLPBF; IRLR3717TRPBF; IRLR3717TRRPBF; SP001568638; SP001567384; SP001553200; SP001569116;
Producent:
JSMSEMI
Symbol producenta:
IRLR3717TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
200 szt.
| Ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 3,6600 | 2,3200 | 1,8300 | 1,6600 | 1,5900 |
Sposób pakowania: 200
Ilość (wielokrotność 1)