IRLR3717
Symbol Micros:
TIRLR3717 VBS
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 5,5mOhm; 120A; 89W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3717TRPBF-VB; IRLR3717PBF; IRLR3717TRPBF; IRLR3717TRRPBF; VBE1202;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 5,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 89W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | VBsemi |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 5,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 120A |
| Maksymalna tracona moc: | 89W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | VBsemi |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |