IRLR3915
Symbol Micros:
TIRLR3915
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 17mOhm; 61A; 120W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3915TRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 17mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 61A |
Maksymalna tracona moc: | 120W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRLR3915 RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 3,5000 | 2,2200 | 1,7500 | 1,5900 | 1,5200 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLR3915TRPBF
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
3950 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,7795 |
Rezystancja otwartego kanału: | 17mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 61A |
Maksymalna tracona moc: | 120W |
Obudowa: | TO252 (DPACK) |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |