IRLR3915

Symbol Micros: TIRLR3915
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 16V; 17mOhm; 61A; 120W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3915TRPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 17mOhm
Maksymalny prąd drenu: 61A
Maksymalna tracona moc: 120W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRLR3915 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5000 2,2200 1,7500 1,5900 1,5200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLR3915TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
3950 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7795
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 17mOhm
Maksymalny prąd drenu: 61A
Maksymalna tracona moc: 120W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 55V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD