RDB6P5N03U CREATEK
Symbol Micros:
TIRLR8726 CRE
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 80A; 115W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | CREATEK |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 115W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | CREATEK |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLR8726TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR8726TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
10350 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,9100 | 1,0600 | 0,8340 | 0,7570 | 0,7330 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR8726TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
3000 szt.
| Ilość szt. | 50+ |
| cena netto (PLN) | 0,9376 |
Sposób pakowania: 50
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLR8726TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
4000 szt.
| Ilość szt. | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 0,7330 |
Sposób pakowania: 2000
Ilość (wielokrotność 1)
IRLR8726 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
Pozycja dostępna na zamówienie
IRLR8726TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
Producent:
UMW
Symbol producenta:
IRLR8726TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
Stan magazynowy
90 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 300+ | 1500+ |
| cena netto (PLN) | 1,2300 | 0,7910 | 0,5580 | 0,4740 | 0,4510 |
Sposób pakowania: 300
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
UMW
Symbol producenta:
IRLR8726TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
0 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2500+ |
| cena netto (PLN) | 1,2300 | 0,6590 | 0,5130 | 0,4640 | 0,4480 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
UMW
Symbol producenta:
IRLR8726TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
500 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,2300 | 0,6590 | 0,5130 | 0,4640 | 0,4490 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)
IRLR8726TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
Producent:
JGSEMI
Symbol producenta:
IRLR8726TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
250 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 300+ | 1500+ |
| cena netto (PLN) | 1,3200 | 0,8450 | 0,5940 | 0,5050 | 0,4800 |
Sposób pakowania: 300
Ilość (wielokrotność 1)
IRLR8726TRPBF-CN CHIPNOBO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,4mOhm; 90A; 39W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
Producent:
CHIPNOBO
Symbol producenta:
IRLR8726TRPBF-CN RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
Stan magazynowy
400 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,3200 | 0,7040 | 0,5480 | 0,4950 | 0,4790 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)