IRLS3034
Symbol Micros:
TIRLS3034
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 195A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRLS3034TRLPBF; IRLS3034PBF; IRLS3034PBF-GURT;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 195A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRLS3034TRLPBF RoHS
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 12,8100 | 11,0200 | 9,9700 | 9,4500 | 9,1500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: IRLS3034TRLPBF
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
820 szt.
| ilość szt. | 10+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 9,1500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 195A |
| Maksymalna tracona moc: | 375W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | International Rectifier |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |