IRLZ34NSTRL UMW
Symbol Micros:
TIRLZ34ns UMW
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 3,8W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRLZ34SPBF; IRLZ34NSPBF; IRLZ34NSTRLPBF; SP001568692; SP001573060;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,8W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 30A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,8W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | UMW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 55V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
IRLZ34NS smd
N-MOSFET 30A 55V 68W 0.035Ω IRLZ34NSTRLPBF
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLZ34NSTRLPBF
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
Stan magazynowy
18400 szt.
| Ilość szt. | 800+ |
| cena netto (PLN) | 1,2607 |
Sposób pakowania: 800
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
IRLZ34NSTRLPBF
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
Stan magazynowy
15200 szt.
| Ilość szt. | 800+ |
| cena netto (PLN) | 1,3131 |
Sposób pakowania: 800
Ilość (wielokrotność 1)