JFAM20N60C JIAENSEMI

Symbol Micros: TJFAM20n60c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 500mOhm; 20A; 272W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 500mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 272W
Obudowa: TO 3P
Producent: JIAENSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: JIAENSEMI Symbol producenta: JFAM20N60C RoHS Obudowa dokładna: TO 3P karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
cena netto (PLN) 7,1200 5,2800 4,5100 4,3600 4,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Rezystancja otwartego kanału: 500mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 272W
Obudowa: TO 3P
Producent: JIAENSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT