KD367B
Symbol Micros:
TKD367b
Obudowa: TO 3
Tranzystor NPN; 750; 60W; 100V; 8A; 7MHz;
Parametry
| Moc strat: | 60W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 750 |
| Częstotliwość graniczna: | 7MHz |
| Producent: | Tesla |
| Obudowa: | TO 3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Moc strat: | 60W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 750 |
| Częstotliwość graniczna: | 7MHz |
| Producent: | Tesla |
| Obudowa: | TO 3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Typ tranzystora: | NPN |