KD367B

Symbol Micros: TKD367b

1786

TKD367b

Symbol Kontrahenta:

Obudowa: TO 3

karta katalogowa

rys. techniczny Dodaj do ulubionych

Tranzystor NPN; 750; 60W; 100V; 8A; 7MHz;

Parametry

Moc strat:	60W
Producent:	Tesla
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	750
Obudowa:	TO 3
Częstotliwość graniczna:	7MHz
Maksymalny prąd kolektora:	8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	100V

Wszystkie parametry

Producent: Tesla Symbol producenta: KD367B Obudowa dokładna: TO 3 karta katalogowa

Stan magazynowy:

77 szt.

ilość szt.	2+	5+	10+	20+	97+
cena netto (PLN)	2,2500	1,5900	1,3000	1,1100	0,9000

Dodaj do porównywarki Dodaj zapytanie

Towar dostępny
do wyczerpania zapasów Sposób pakowania:
97 Ilość (wielokrotność: 1)

- +

• Parametry

Moc strat:	60W
Producent:	Tesla
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	750
Obudowa:	TO 3
Częstotliwość graniczna:	7MHz
Maksymalny prąd kolektora:	8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	100V
Typ tranzystora:	NPN

Edytuj Symbol

Usuń powiązane z Symbolem Kontrahenta

Symbol Micros

Czy na pewno chcesz usunąć Twoje symbole? Twój symbol Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Usuń Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta Zapisz

Dodaj symbol

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta Zapisz

Podana nazwa jest zajeta

Symbol zawiera niedozwolone znaki lub jest zbyt krótki. Symbol może składać się z dużych i małych liter, spacji, znaków specjalnych: "-", "/", "." i musi mieć co najmniej 3 znaki.