LGE2305

Symbol Micros: TLGE2305
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2305-LGE;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: -4,1A
Maksymalna tracona moc: 1,7W
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: -20V
Typ tranzystora: MOSFET
Producent: LGE Symbol producenta: SI2305 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2975 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2975+
cena netto (PLN) 0,7370 0,3500 0,1970 0,1490 0,1340
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2975
Producent: LGE Symbol producenta: LGE2305 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
775 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8140 0,3870 0,2180 0,1650 0,1480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: -4,1A
Maksymalna tracona moc: 1,7W
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: -20V
Typ tranzystora: MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta