LGE2305

Symbol Micros: TLGE2305
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2305-LGE;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: -4,1A
Maksymalna tracona moc: 1,7W
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: -20V
Typ tranzystora: MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-05-10
Ilość szt.: 9000
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: -4,1A
Maksymalna tracona moc: 1,7W
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: -20V
Typ tranzystora: MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD