LGE2305

Symbol Micros: TLGE2305
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2305-LGE;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: -4,1A
Maksymalna tracona moc: 1,7W
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: -20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Producent: LGE Symbol producenta: LGE2305 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
9500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7150 0,3400 0,1910 0,1450 0,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: -4,1A
Maksymalna tracona moc: 1,7W
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: -20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Typ tranzystora: MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD