LGE2308

Symbol Micros: TLGE2308
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS ODPOWIEDNIK: RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; TSM2308CX RFG;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 60mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 60mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD